N沟MOSF管IRFZ24NS
| 价 格： | 5.00 |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRFZ24NS |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 55（V） | 夹断电压 | 55（V） |
| 极间电容 | 370（pF） | 漏极电流 | 170（mA） |
| 耗散功率 | 3800（mW） |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET
| IRFZ24NS(LPbF) |
| IRFS4228TRLPBF |
| 800 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 70 毫欧 @ 10A, 10V |
| 55V |
| 17A |
| 4V @ 250µA |
| 20nC @ 10V |
| 370pF @ 25V |
| 3.8W |
| 表面贴装 |
| TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
| 带卷 (TR) |
| D2PAK |
| IRFZ24NSTRLPBF-ND IRFZ24NSTRLPBFTR |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管NDT3055L。FAIRCHILD
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 NDT3055L 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 IGBT绝缘栅比极 开启电压 60（V） 夹断电压 2（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
N沟MOSF管FDS6690A
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 FDS6690A 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型
