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N沟MOSF管FDD6690A.TO-252
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 FDD6690A 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 30（V） 夹断电压 15（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFET数据列表FDD6690A产品相片TO-252-2产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing产品目录绘图DPAK, TO-252(AA)标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列PowerTrench®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化...
N沟MOSF管IRL3714S
信息内容：品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRL3714S 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 20（V） 极间电容 550（pF） 漏极电流 360（mA） 耗散功率 3500（mW） 数据列表IRL3714Z(S/L)PbF产品相片TO-220AB Pkg产品目录绘图IR(F,L,FZ,LZ,FB) Series Side 1IR(F,L,FZ,LZ,FB) Series Side 2标准包装50类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C16 毫欧 @ 15A,...
