N沟MOSF管IRL3714S
| 价 格： | 5.00 |
| 品牌/商标 | INR美德国际整流器件 | 型号/规格 | IRL3714S |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 20（V） | 夹断电压 | 20（V） |
| 极间电容 | 550（pF） | 漏极电流 | 360（mA） |
| 耗散功率 | 3500（mW） |
| IRL3714Z(S/L)PbF |
| TO-220AB Pkg |
| IR(F,L,FZ,LZ,FB) Series Side 1 IR(F,L,FZ,LZ,FB) Series Side 2 |
| 50 |
| 分离式半导体产品 |
| MOSFET，GaNFET - 单 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 16 毫欧 @ 15A, 10V |
| 20V |
| 2.55V @ 250µA |
| 7.2nC @ 4.5V |
| 36A |
| 550pF @ 10V |
| 35W |
| 通孔 |
| TO-220-3 (直引线) |
| 管件 |
| 1372 (CN091-10 PDF) |
| *IRL3714ZPBF |
- 所属城市：广东 深圳
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P沟MOSF管FDD306P
信息内容：品牌/商标 Federick美国 型号/规格 FDD306P 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 4.5（V） 夹断电压 12（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
P沟MOSF管IRFR9024N
信息内容：品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRFR9024N 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 CHIP/小型片状 材料 P-FET硅P沟道 夹断电压 60（V） 极间电容 570（pF） 漏极电流 880（mA） 耗散功率 250（mW） 数据列表IRFR9024, IRFU9024产品相片IRFR9024TRPBF产品目录绘图IR(F,L)Z Series Side 1IR(F,L)Z Series Side 2标准包装2,000类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列-FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C280 毫欧 @ 5.3A, 10V漏极至源极电压(Vdss)60VId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs19nC @ 10V电流 -...
