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N沟MOSF管IRL3714S

价 格: 5.00

品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRL3714S
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大
封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 20(V) 夹断电压 20(V)
极间电容 550(pF) 漏极电流 360(mA)
耗散功率 3500(mW)

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏极至源极电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)()闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - 安装类型封装/外壳包装产品目录页面其它名称
IRL3714Z(S/L)PbF
TO-220AB Pkg
IR(F,L,FZ,LZ,FB) Series Side 1
IR(F,L,FZ,LZ,FB) Series Side 2
50
分离式半导体产品
MOSFET,GaNFET - 单
HEXFET®
MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平门
16 毫欧 @ 15A, 10V
20V
2.55V @ 250µA
7.2nC @ 4.5V
36A
550pF @ 10V
35W
通孔
TO-220-3 (直引线)
管件
1372 (CN091-10 PDF)
*IRL3714ZPBF

深圳市钜腾电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 孔维年
  • 电话:755-83260808
  • 传真:755-83260808
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P沟MOSF管FDD306P

信息内容:

品牌/商标 Federick美国 型号/规格 FDD306P 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 4.5(V) 夹断电压 12(V) 跨导 0(μS) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW)

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P沟MOSF管IRFR9024N

信息内容:

品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRFR9024N 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 CHIP/小型片状 材料 P-FET硅P沟道 夹断电压 60(V) 极间电容 570(pF) 漏极电流 880(mA) 耗散功率 250(mW) 数据列表IRFR9024, IRFU9024产品相片IRFR9024TRPBF产品目录绘图IR(F,L)Z Series Side 1IR(F,L)Z Series Side 2标准包装2,000类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列-FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C280 毫欧 @ 5.3A, 10V漏极至源极电压(Vdss)60VId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs19nC @ 10V电流 -...

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