价 格: | 5.00 |
品牌/商标 | INR美德国际整流器件 | 型号/规格 | IRL3714S |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 20(V) | 夹断电压 | 20(V) |
极间电容 | 550(pF) | 漏极电流 | 360(mA) |
耗散功率 | 3500(mW) |
IRL3714Z(S/L)PbF |
TO-220AB Pkg |
IR(F,L,FZ,LZ,FB) Series Side 1 IR(F,L,FZ,LZ,FB) Series Side 2 |
50 |
分离式半导体产品 |
MOSFET,GaNFET - 单 |
HEXFET® |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
逻辑电平门 |
16 毫欧 @ 15A, 10V |
20V |
2.55V @ 250µA |
7.2nC @ 4.5V |
36A |
550pF @ 10V |
35W |
通孔 |
TO-220-3 (直引线) |
管件 |
1372 (CN091-10 PDF) |
*IRL3714ZPBF |
品牌/商标 Federick美国 型号/规格 FDD306P 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 4.5(V) 夹断电压 12(V) 跨导 0(μS) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW)
品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRFR9024N 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 CHIP/小型片状 材料 P-FET硅P沟道 夹断电压 60(V) 极间电容 570(pF) 漏极电流 880(mA) 耗散功率 250(mW) 数据列表IRFR9024, IRFU9024产品相片IRFR9024TRPBF产品目录绘图IR(F,L)Z Series Side 1IR(F,L)Z Series Side 2标准包装2,000类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列-FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C280 毫欧 @ 5.3A, 10V漏极至源极电压(Vdss)60VId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs19nC @ 10V电流 -...