P沟MOSF管FDD306P
| 价 格： | 3.00 |
| 品牌/商标 | Federick美国 | 型号/规格 | FDD306P |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | CC/恒流 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 4.5（V） | 夹断电压 | 12（V） |
| 跨导 | 0（μS） | 极间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | 漏极电流 | 0（mA） |
| 耗散功率 | 0（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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P沟MOSF管IRFR9024N
信息内容：品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRFR9024N 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 CHIP/小型片状 材料 P-FET硅P沟道 夹断电压 60（V） 极间电容 570（pF） 漏极电流 880（mA） 耗散功率 250（mW） 数据列表IRFR9024, IRFU9024产品相片IRFR9024TRPBF产品目录绘图IR(F,L)Z Series Side 1IR(F,L)Z Series Side 2标准包装2,000类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列-FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C280 毫欧 @ 5.3A, 10V漏极至源极电压(Vdss)60VId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs19nC @ 10V电流 -...
P沟MOSF管NDT452AP.FAIRCHILD
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 NDT452AP 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 开启电压 10（V） 夹断电压 2.8（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 耗散功率 0（mW） SOT-223, P沟MOSFET数据列表NDT452AP产品相片SOT-223-4产品培训模块High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch产品目录绘图MOSFET SOT-223 Pkg标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C65 毫欧 @ 5A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25&d...
