P沟MOSF管NDT452AP.FAIRCHILD
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD/仙童 | 型号/规格 | NDT452AP |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 开启电压 | 10（V） | 夹断电压 | 2.8（V） |
| 跨导 | 0（μS） | 极间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | 耗散功率 | 0（mW） |
SOT-223, P沟MOSFET
| NDT452AP |
| SOT-223-4 |
| High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| MOSFET SOT-223 Pkg |
| 2,500 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| - |
| MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 65 毫欧 @ 5A, 10V |
| 30V |
| 5A |
| 2.8V @ 250µA |
| 30nC @ 10V |
| 690pF @ 15V |
| 1.1W |
| 表面贴装 |
| TO-261-4, TO-261AA |
| 带卷 (TR) |
| SOT-223-3 |
- 所属城市：广东 深圳
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P沟MOSF管IRF7433
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRF7433 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 开启电压 12（V） 夹断电压 4.5（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 数据列表IRF7433PbF产品相片8-SOIC产品目录绘图IR Hexfet 8-SOIC标准包装4,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C24 毫欧 @ 8.7A, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)12V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.9AId 时的 Vgs(th...
MMDT3906. SOT-23放大三极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 MMDT3906 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 40（V） 截止频率fT 250（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 NA TRANSISTOR NPN 50V 150MA数据列表MMDT3906产品相片SOT-363 PKG产品变化通告Encapsulate Change 09/July/2007Wire Change 16/Sept/2008其它图纸SOT-363 Package TopSOT-363 Package Side 1SOT-363 Package Side 2标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 阵列系列-晶体管类型2 PNP（双）电流 - 集电极 (Ic)（）200mA电压 - 集电极发射极击穿（）40VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）400mV @ 5mA, 50mA电流 - 集电极截止（）-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 10mA, 1V功率 - 200mW频率 - 转换250MHz安装...
