P沟MOSF管IRF7433
| 价 格： | 3.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRF7433 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 开启电压 | 12（V） | 夹断电压 | 4.5（V） |
| 跨导 | 0（μS） | 极间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | 漏极电流 | 0（mA） |
| 耗散功率 | 0（mW） |
| IRF7433PbF |
| 8-SOIC |
| IR Hexfet 8-SOIC |
| 4,000 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 24 毫欧 @ 8.7A, 4.5V |
| 12V |
| 8.9A |
| 900mV @ 250µA |
| 20nC @ 4.5V |
| 1877pF @ 10V |
| 2.5W |
| 表面贴装 |
| 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 带卷 (TR) |
| 8-SO |
| IRF7433PBFTR IRF7433TRPBF-ND IRF7433TRPBFTR-ND |
- 所属城市：广东 深圳
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MMDT3906. SOT-23放大三极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 MMDT3906 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 40（V） 截止频率fT 250（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 NA TRANSISTOR NPN 50V 150MA数据列表MMDT3906产品相片SOT-363 PKG产品变化通告Encapsulate Change 09/July/2007Wire Change 16/Sept/2008其它图纸SOT-363 Package TopSOT-363 Package Side 1SOT-363 Package Side 2标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 阵列系列-晶体管类型2 PNP（双）电流 - 集电极 (Ic)（）200mA电压 - 集电极发射极击穿（）40VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）400mV @ 5mA, 50mA电流 - 集电极截止（）-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 10mA, 1V功率 - 200mW频率 - 转换250MHz安装...
N沟MOSF管IRF740S
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRF740S 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CHOP/斩波、限幅 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 400（V） 夹断电压 400（V） 极间电容 1400（pF） 漏极电流 10000（mA） 耗散功率 31000（mW） 数据列表IRF740SPBF产品相片D2PAK, TO-263 (2 leads + tab)产品目录绘图IR(F,L,Z) Series Side 1IR(F,L,Z) Series Side 2标准包装800类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C550 毫欧 @ 6A, 10V漏极至源极电压(V...
