N沟MOSF管IRF740S
| 价 格： | 12.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRF740S |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | CHOP/斩波、限幅 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 400（V） | 夹断电压 | 400（V） |
| 极间电容 | 1400（pF） | 漏极电流 | 10000（mA） |
| 耗散功率 | 31000（mW） |
| IRF740SPBF |
| D2PAK, TO-263 (2 leads + tab) |
| IR(F,L,Z) Series Side 1 IR(F,L,Z) Series Side 2 |
| 800 |
| 分离式半导体产品 |
| MOSFET，GaNFET - 单 |
| - |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 550 毫欧 @ 6A, 10V |
| 400V |
| 4V @ 250µA |
| 63nC @ 10V |
| 10A |
| 1400pF @ 25V |
| 3.1W |
| 表面贴装 |
| D²Pak，TO-263（2 引线 + 接片） |
| 带卷 (TR) |
| 1380 (CN091-10 PDF) |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRLL110
信息内容：品牌/商标 ZET英国XETEX 型号/规格 IRLL110 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DIFF/差分放大 封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 100（V） 夹断电压 100（V） 漏极电流 15（mA） 数据列表IRLL110PBF产品相片SOT-223产品目录绘图IR(F,L)L Series TopIR(F,L)L Series Side标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C540 毫欧 @ 900mA, 5V漏极至源极电压(Vdss)100VId 时的 Vgs(th)（）2V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs6.1nC @ 5V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.5A在 Vds 时的输入电容(Ciss)250p...
MOSFET管IRFZ44NPBF
信息内容：品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRFZ44NPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 55（V） 夹断电压 4（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 数据列表IRFZ44NPbF产品相片TO-220AB PKG产品目录绘图IR Hexfet TO-220AB标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C17.5 毫欧 @ 25A, 10V漏极至源极电压(Vd...
