MOSFET管IRFZ44NPBF
| 价 格： | 2.50 |
| 品牌/商标 | INR美德国际整流器件 | 型号/规格 | IRFZ44NPBF |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 55（V） |
| 夹断电压 | 4（V） | 跨导 | 0（μS） |
| 极间电容 | 0（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| 漏极电流 | 0（mA） | 耗散功率 | 0（mW） |
| IRFZ44NPbF |
| TO-220AB PKG |
| IR Hexfet TO-220AB |
| 50 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 17.5 毫欧 @ 25A, 10V |
| 55V |
| 49A |
| 4V @ 250µA |
| 63nC @ 10V |
| 1470pF @ 25V |
| 94W |
| 通孔 |
| TO-220-3 |
| 管件 |
| TO-220AB |
| 1472 (CN2010-11 Interactive) 1472 (CN2010-11 PDF) |
| *IRFZ44NPBF |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRLL2705
信息内容：品牌/商标 ZET英国XETEX 型号/规格 IRLL2705 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 55（V） 夹断电压 2（V） 漏极电流 38（mA） 耗散功率 1000（mW） 数据列表IRLL2705PbF产品相片IRLL2705TRPBF产品目录绘图IRFL(L) Series Top标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C40 毫欧 @ 3.8A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55VId 时的 Vgs(th)（）2V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs48nC @ 10V电流 - 连续漏极(Id) @ 25°...
P沟MOSF管IRFR9310
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFR9310 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-P-FET锗P沟道 开启电压 400（V） 夹断电压 4（V） 跨导 13（μS） 极间电容 270（pF） 低频噪声系数 13（dB） 漏极电流 180（mA） 耗散功率 50000（mW）
