N沟MOSF管IRLL2705
| 价 格： | 2.50 |
| 品牌/商标 | ZET英国XETEX | 型号/规格 | IRLL2705 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 55（V） | 夹断电压 | 2（V） |
| 漏极电流 | 38（mA） | 耗散功率 | 1000（mW） |
| IRLL2705PbF |
| IRLL2705TRPBF |
| IRFL(L) Series Top |
| 2,500 |
| 分离式半导体产品 |
| MOSFET，GaNFET - 单 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 40 毫欧 @ 3.8A, 10V |
| 55V |
| 2V @ 250µA |
| 48nC @ 10V |
| 3.8A |
| 870pF @ 25V |
| 1W |
| 表面贴装 |
| SOT-223（3 引线 + 接片），SC-73，TO-261AA |
| 带卷 (TR) |
| 1377 (CN091-10 PDF) |
| IRLL2705PBFTR |
- 所属城市：广东 深圳
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P沟MOSF管IRFR9310
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFR9310 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-P-FET锗P沟道 开启电压 400（V） 夹断电压 4（V） 跨导 13（μS） 极间电容 270（pF） 低频噪声系数 13（dB） 漏极电流 180（mA） 耗散功率 50000（mW）
N沟MOSF管FDD6680S
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 FDD6680S 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 30（V） 夹断电压 3（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFET数据列表FDD6680AS产品相片TO-252-2产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列PowerTrench®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs ...
