N沟MOSF管FDD6680S
| 价 格： | 3.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | FDD6680S |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 30（V） |
| 夹断电压 | 3（V） | 跨导 | 0（μS） |
| 极间电容 | 0（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| 漏极电流 | 0（mA） | 耗散功率 | 0（mW） |
TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFET
| FDD6680AS |
| TO-252-2 |
| High Voltage Switches for Power Processing |
| 2,500 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| PowerTrench® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 10.5 毫欧 @ 12.5A, 10V |
| 30V |
| 55A |
| 3V @ 1mA |
| 29nC @ 15V |
| 1200pF @ 15V |
| 1.3W |
| 表面贴装 |
| TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 |
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 孔维年
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N沟MOSF管IRL630S
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRL630S 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 200（V） TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRL630SPBF产品相片D2PAK, TO-263产品目录绘图IR(F,L,Z) Series Side 1IR(F,L,Z) Series Side 2标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C400 毫欧 @ 5.4A, 5V漏极至源极电压(Vdss)200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9AId 时的 Vgs(th)（）2V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs40nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1100pF @ 25V功率 - 3.1W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), T...
P沟MOSF管IRFL9014
信息内容：品牌/商标 VHSHAY 型号/规格 IRFL9014 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 D-G双栅四极 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 10（V） 漏极电流 110（mA） SOT-223, P沟MOSFE数据列表IRFL9014产品相片SOT-223产品目录绘图IR(F,L)L Series TopIR(F,L)L Series Side标准包装4,000类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列-FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C500 毫欧 @ 1.1A, 10V漏极至源极电压(Vdss)60VId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs12nC @ 10V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.8A在 Vds 时的输入电容(Ciss)270pF @ 25V功率 - 2W安装类型表面贴装封装/外壳SOT-223（3 引线 + 接片...
