P沟MOSF管IRFL9014
| 价 格： | 2.00 |
| 品牌/商标 | VHSHAY | 型号/规格 | IRFL9014 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | D-G双栅四极 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | 10（V） | 漏极电流 | 110（mA） |
SOT-223, P沟MOSFE
| IRFL9014 |
| SOT-223 |
| IR(F,L)L Series Top IR(F,L)L Series Side |
| 4,000 |
| 分离式半导体产品 |
| MOSFET，GaNFET - 单 |
| - |
| MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 500 毫欧 @ 1.1A, 10V |
| 60V |
| 4V @ 250µA |
| 12nC @ 10V |
| 1.8A |
| 270pF @ 25V |
| 2W |
| 表面贴装 |
| SOT-223（3 引线 + 接片），SC-73，TO-261AA |
| 管件 |
| 1380 (CN091-10 PDF) |
| *IRFL9014 |
T
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRF3415S.TO-263
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRF3415S 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 150（V） 夹断电压 10（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRF3415S(LPbF)产品相片D2PAK, TO-263产品目录绘图IR Hexfet D2PAK标准包装800类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C42 毫欧 @ 22A, ...
N沟MOSF管IRF830AS
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRF830AS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 500（V） 夹断电压 25（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 数据列表IRF830ASPBF, ALPBF产品相片D2PAK, TO-263产品目录绘图IR(F,L,Z) Series Side 1IR(F,L,Z) Series Side 2标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C1.4 欧姆 @ 3A, 10V漏极...
