N沟MOSF管IRF830AS
| 价 格： | 3.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRF830AS |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 500（V） |
| 夹断电压 | 25（V） | 跨导 | 0（μS） |
| 极间电容 | 0（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| 漏极电流 | 0（mA） | 耗散功率 | 0（mW） |
| IRF830ASPBF, ALPBF |
| D2PAK, TO-263 |
| IR(F,L,Z) Series Side 1 IR(F,L,Z) Series Side 2 |
| 1,000 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| - |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 1.4 欧姆 @ 3A, 10V |
| 500V |
| 5A |
| 4.5V @ 250µA |
| 24nC @ 10V |
| 620pF @ 25V |
| 3.1W |
| 表面贴装 |
| TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
| D2PAK |
| 管件 |
- 所属城市：广东 深圳
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MMDT2907A放大三极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 MMBT2907A 应用范围 放大 功率特性 中功率 频率特性 中频 极性 PNP型 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 集电极允许电流ICM 600m（A） 集电极耗散功率PCM 250m（W） 营销方式 现货 产品性质 新品 NA TRANS HP NPN 400V 225MA SOT23MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -60 VVCEO Collector-Emitter Voltage -60 VVEBO Emitter-Base Voltage -5 VIC Collector Current -Continuous -600 mAPD Total Device Dissipation 250 ...
FQPF8N60C放大三极管
信息内容：品牌/商标 FairChild仙童 型号/规格 FQPF8N60C 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 600（V） 集电极允许电流ICM 7.5（A） 集电极耗散功率PCM 48（W） 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 数据列表FQP8N60C, FQPF8N60C产品相片TO-220AB产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing产品变化通告Design/Process Change Notification 26/June/2007标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列QFET™FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C1.2 欧姆 @ 3.75A, 10V漏极至源极电压(Vdss)600V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.5AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 2...
