FQPF8N60C放大三极管
| 价 格： | 5.00 |
| 品牌/商标 | FairChild仙童 | 型号/规格 | FQPF8N60C |
| 应用范围 | 放大 | 材料 | 硅(Si) |
| 极性 | PNP型 | 击穿电压VCBO | 600（V） |
| 集电极允许电流ICM | 7.5（A） | 集电极耗散功率PCM | 48（W） |
| 结构 | 点接触型 | 封装形式 | 直插型 |
| 封装材料 | 塑料封装 |
| FQP8N60C, FQPF8N60C |
| TO-220AB |
| High Voltage Switches for Power Processing |
| Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
| 50 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| QFET™ |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 1.2 欧姆 @ 3.75A, 10V |
| 600V |
| 7.5A |
| 4V @ 250µA |
| 36nC @ 10V |
| 1255pF @ 25V |
| 48W |
| 通孔 |
| TO-220-3 整包 |
| 管件 |
- 所属城市：广东 深圳
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P沟MOSF管NDT456P
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 NDT456P 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 开启电压 30（V） 夹断电压 3（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 数据列表NDT456P产品相片SOT-223-4产品培训模块High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch产品目录绘图MOSFET SOT-223 Pkg标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C30 毫欧 @ 7.5A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.5AId 时的 Vgs(th)（）...
P沟MOSF管IRLML5103
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRLML5103 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 30（V） 夹断电压 10（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 450（mW）
