P沟MOSF管IRLML5103
| 价 格： | 2.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRLML5103 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 材料 | P-FET硅P沟道 | 开启电压 | 30（V） |
| 夹断电压 | 10（V） | 跨导 | 0（μS） |
| 极间电容 | 0（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| 漏极电流 | 0（mA） | 耗散功率 | 450（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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MMBTA92. SOT-23放大三极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 MMBTA92 应用范围 放大 极性 PNP型 击穿电压VCBO 300（V） 集电极允许电流ICM 5（A） 截止频率fT 50（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装
N沟MOSF管IRLL024N
信息内容：品牌/商标 ZET英国XETEX 型号/规格 IRLL024N 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 55（V） 夹断电压 55（V） 极间电容 510（pF） 漏极电流 310（mA） 耗散功率 100（mW） 数据列表IRLL024NPbF产品相片IRLL024NTRPBF产品目录绘图IRFL(L) Series Top标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C65 毫欧 @ 3.1A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55VId 时的 Vgs(th)（）2V @ 250&...
