品牌/商标 | ZET英国XETEX | 型号/规格 | IRLL024N |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | CC/恒流 |
封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 55(V) | 夹断电压 | 55(V) |
极间电容 | 510(pF) | 漏极电流 | 310(mA) |
耗散功率 | 100(mW) |
IRLL024NPbF |
IRLL024NTRPBF |
IRFL(L) Series Top |
2,500 |
分离式半导体产品 |
MOSFET,GaNFET - 单 |
HEXFET® |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
逻辑电平门 |
65 毫欧 @ 3.1A, 10V |
55V |
2V @ 250µA |
15.6nC @ 5V |
3.1A |
510pF @ 25V |
1W |
表面贴装 |
SOT-223(3 引线 + 接片),SC-73,TO-261AA |
带卷 (TR) |
1377 (CN091-10 PDF) |
品牌/商标 国产 型号/规格 DTA144 应用范围 带阻尼 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 50(V) 截止频率fT 250(MHz) 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 TRAN DIGITL PNP 50V 30MA SOT-346数据列表DTA144E Series产品相片SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236产品目录绘图SOT-346 Package Top标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式系列-晶体管类型PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)()100mA电压 - 集电极发射极击穿()50V电阻器 - 基极 (R1)(欧)47K电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47K在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)68 @ 5mA, 5VIb、Ic条件下的Vce饱和度()300mV @ 500µA, 10mA电流 - 集电极截止()500nA频率 - 转换250MHz功率 - 200mW安装...
品牌/商标 FairChild仙童 型号/规格 SSS4N60B 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 600(V) 集电极允许电流ICM 4.5(A) 集电极耗散功率PCM 33(W) 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装