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P沟MOSF管NDT456P

价 格: 6.00

品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 NDT456P
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道
导电方式 增强型 开启电压 30(V)
夹断电压 3(V) 跨导 0(μS)
极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB)
漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW)

数据列表产品相片产品培训模块产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏极至源极电压(Vdss)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)()闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - 安装类型封装/外壳包装供应商设备封装
NDT456P
SOT-223-4
High Voltage Switches for Power Processing
SMPS Power Switch
MOSFET SOT-223 Pkg
2,500
分离式半导体产品
FET - 单路
-
MOSFET P 通道,金属氧化物
逻辑电平门
30 毫欧 @ 7.5A, 10V
30V
7.5A
3V @ 250µA
67nC @ 10V
1440pF @ 15V
1.1W
表面贴装
TO-261-4, TO-261AA
带卷 (TR)
SOT-223-3

深圳市钜腾电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 孔维年
  • 电话:755-83260808
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P沟MOSF管IRLML5103

信息内容:

品牌/商标 其他 型号/规格 IRLML5103 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 30(V) 夹断电压 10(V) 跨导 0(μS) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 450(mW)

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MMBTA92. SOT-23放大三极管

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