MMDT2907A放大三极管
| 价 格： | 0.10 |
| 品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | MMBT2907A |
| 应用范围 | 放大 | 功率特性 | 中功率 |
| 频率特性 | 中频 | 极性 | PNP型 |
| 结构 | 面接触型 | 材料 | 硅(Si) |
| 封装形式 | 贴片型 | 封装材料 | 塑料封装 |
| 集电极允许电流ICM | 600m（A） | 集电极耗散功率PCM | 250m（W） |
| 营销方式 | 现货 | 产品性质 | 新品 |
NA TRANS HP NPN 400V 225MA SOT23MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage -60 V
VCEO Collector-Emitter Voltage -60 V
VEBO Emitter-Base Voltage -5 V
IC Collector Current -Continuous -600 mA
PD Total Device Dissipation 250 mW
RθJA Thermal Resistance Junction to Ambient 500 ℃/W
TJ Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage Temperature -55 to +150 ℃-3
- 所属城市：广东 深圳
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FQPF8N60C放大三极管
信息内容：品牌/商标 FairChild仙童 型号/规格 FQPF8N60C 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 600（V） 集电极允许电流ICM 7.5（A） 集电极耗散功率PCM 48（W） 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 数据列表FQP8N60C, FQPF8N60C产品相片TO-220AB产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing产品变化通告Design/Process Change Notification 26/June/2007标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列QFET™FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C1.2 欧姆 @ 3.75A, 10V漏极至源极电压(Vdss)600V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.5AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 2...
P沟MOSF管NDT456P
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 NDT456P 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 开启电压 30（V） 夹断电压 3（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 数据列表NDT456P产品相片SOT-223-4产品培训模块High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch产品目录绘图MOSFET SOT-223 Pkg标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C30 毫欧 @ 7.5A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.5AId 时的 Vgs(th)（）...
