N沟MOSF管IRF3415S.TO-263
| 价 格： | 5.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRF3415S |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 150（V） |
| 夹断电压 | 10（V） | 跨导 | 0（μS） |
| 极间电容 | 0（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| 漏极电流 | 0（mA） | 耗散功率 | 0（mW） |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET
| IRF3415S(LPbF) |
| D2PAK, TO-263 |
| IR Hexfet D2PAK |
| 800 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 42 毫欧 @ 22A, 10V |
| 150V |
| 43A |
| 4V @ 250µA |
| 200nC @ 10V |
| 2400pF @ 25V |
| 3.8W |
| 表面贴装 |
| TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 孔维年
- 电话：755-83260808
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N沟MOSF管IRF830AS
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRF830AS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 500（V） 夹断电压 25（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 数据列表IRF830ASPBF, ALPBF产品相片D2PAK, TO-263产品目录绘图IR(F,L,Z) Series Side 1IR(F,L,Z) Series Side 2标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C1.4 欧姆 @ 3A, 10V漏极...
MMDT2907A放大三极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 MMBT2907A 应用范围 放大 功率特性 中功率 频率特性 中频 极性 PNP型 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 集电极允许电流ICM 600m（A） 集电极耗散功率PCM 250m（W） 营销方式 现货 产品性质 新品 NA TRANS HP NPN 400V 225MA SOT23MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -60 VVCEO Collector-Emitter Voltage -60 VVEBO Emitter-Base Voltage -5 VIC Collector Current -Continuous -600 mAPD Total Device Dissipation 250 ...
