P沟MOSF管IRFR9310
| 价 格： | 5.00 |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRFR9310 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | CC/恒流 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | GE-P-FET锗P沟道 |
| 开启电压 | 400（V） | 夹断电压 | 4（V） |
| 跨导 | 13（μS） | 极间电容 | 270（pF） |
| 低频噪声系数 | 13（dB） | 漏极电流 | 180（mA） |
| 耗散功率 | 50000（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管FDD6680S
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 FDD6680S 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 30（V） 夹断电压 3（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFET数据列表FDD6680AS产品相片TO-252-2产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列PowerTrench®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs ...
N沟MOSF管IRL630S
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRL630S 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 200（V） TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRL630SPBF产品相片D2PAK, TO-263产品目录绘图IR(F,L,Z) Series Side 1IR(F,L,Z) Series Side 2标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C400 毫欧 @ 5.4A, 5V漏极至源极电压(Vdss)200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9AId 时的 Vgs(th)（）2V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs40nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1100pF @ 25V功率 - 3.1W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), T...
