N沟MOSF管IRLL110
| 价 格： | 3.00 |
| 品牌/商标 | ZET英国XETEX | 型号/规格 | IRLL110 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DIFF/差分放大 |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 100（V） | 夹断电压 | 100（V） |
| 漏极电流 | 15（mA） |
| IRLL110PBF |
| SOT-223 |
| IR(F,L)L Series Top IR(F,L)L Series Side |
| 2,500 |
| 分离式半导体产品 |
| MOSFET，GaNFET - 单 |
| - |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 540 毫欧 @ 900mA, 5V |
| 100V |
| 2V @ 250µA |
| 6.1nC @ 5V |
| 1.5A |
| 250pF @ 25V |
| 2W |
| 表面贴装 |
| SOT-223（3 引线 + 接片），SC-73，TO-261AA |
| 带卷 (TR) |
| 1380 (CN091-10 PDF) |
| IRLL110PBFTR |
- 所属城市：广东 深圳
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MOSFET管IRFZ44NPBF
信息内容：品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRFZ44NPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 55（V） 夹断电压 4（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 数据列表IRFZ44NPbF产品相片TO-220AB PKG产品目录绘图IR Hexfet TO-220AB标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C17.5 毫欧 @ 25A, 10V漏极至源极电压(Vd...
N沟MOSF管IRLL2705
信息内容：品牌/商标 ZET英国XETEX 型号/规格 IRLL2705 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 55（V） 夹断电压 2（V） 漏极电流 38（mA） 耗散功率 1000（mW） 数据列表IRLL2705PbF产品相片IRLL2705TRPBF产品目录绘图IRFL(L) Series Top标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C40 毫欧 @ 3.8A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55VId 时的 Vgs(th)（）2V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs48nC @ 10V电流 - 连续漏极(Id) @ 25°...
