MMDT3906. SOT-23放大三极管
| 价 格： | 0.10 |
| 品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | MMDT3906 |
| 应用范围 | 放大 | 材料 | 硅(Si) |
| 极性 | PNP型 | 击穿电压VCBO | 40（V） |
| 截止频率fT | 250（MHz） | 结构 | 面接触型 |
| 封装形式 | 贴片型 | 封装材料 | 塑料封装 |
NA TRANSISTOR NPN 50V 150MA
| MMDT3906 |
| SOT-363 PKG |
| Encapsulate Change 09/July/2007 Wire Change 16/Sept/2008 |
| SOT-363 Package Top SOT-363 Package Side 1 SOT-363 Package Side 2 |
| 3,000 |
| 分离式半导体产品 |
| 晶体管(BJT) - 阵列 |
| - |
| 2 PNP（双） |
| 200mA |
| 40V |
| 400mV @ 5mA, 50mA |
| - |
| 100 @ 10mA, 1V |
| 200mW |
| 250MHz |
| 表面贴装 |
| 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| SOT-363 |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 孔维年
- 电话：755-83260808
- 传真：755-83260808
- 手机：
- QQ ：
N沟MOSF管IRF740S
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRF740S 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CHOP/斩波、限幅 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 400（V） 夹断电压 400（V） 极间电容 1400（pF） 漏极电流 10000（mA） 耗散功率 31000（mW） 数据列表IRF740SPBF产品相片D2PAK, TO-263 (2 leads + tab)产品目录绘图IR(F,L,Z) Series Side 1IR(F,L,Z) Series Side 2标准包装800类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C550 毫欧 @ 6A, 10V漏极至源极电压(V...
N沟MOSF管IRLL110
信息内容：品牌/商标 ZET英国XETEX 型号/规格 IRLL110 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DIFF/差分放大 封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 100（V） 夹断电压 100（V） 漏极电流 15（mA） 数据列表IRLL110PBF产品相片SOT-223产品目录绘图IR(F,L)L Series TopIR(F,L)L Series Side标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C540 毫欧 @ 900mA, 5V漏极至源极电压(Vdss)100VId 时的 Vgs(th)（）2V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs6.1nC @ 5V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.5A在 Vds 时的输入电容(Ciss)250p...
