N沟MOSF管FDD6690A.TO-252
| 价 格： | 5.00 |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD/仙童 | 型号/规格 | FDD6690A |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 材料 | GE-N-FET锗N沟道 | 开启电压 | 30（V） |
| 夹断电压 | 15（V） | 跨导 | 0（μS） |
| 极间电容 | 0（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| 漏极电流 | 0（mA） | 耗散功率 | 0（mW） |
TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFET
| FDD6690A |
| TO-252-2 |
| High Voltage Switches for Power Processing |
| DPAK, TO-252(AA) |
| 2,500 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| PowerTrench® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 12 毫欧 @ 12A, 10V |
| 30V |
| 12A |
| 3V @ 250µA |
| 18nC @ 5V |
| 1230pF @ 15V |
| 1.5W |
| 表面贴装 |
| TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC- |
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- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRL3714S
信息内容：品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRL3714S 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 20（V） 极间电容 550（pF） 漏极电流 360（mA） 耗散功率 3500（mW） 数据列表IRL3714Z(S/L)PbF产品相片TO-220AB Pkg产品目录绘图IR(F,L,FZ,LZ,FB) Series Side 1IR(F,L,FZ,LZ,FB) Series Side 2标准包装50类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C16 毫欧 @ 15A,...
P沟MOSF管FDD306P
信息内容：品牌/商标 Federick美国 型号/规格 FDD306P 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 4.5（V） 夹断电压 12（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
