Microchip - 锂电池充电芯片 MCP73113/4, MCP73123
| 价 格： | 5.30 |
| 品牌/商标 | MICROCHIP | 型号/规格 | MCP73113 |
| 封装 | SOIC10 | 批号 | 11+ |
| 类型 | 通信IC |
MCP73113/4 是高度集成的鋰離子電池充電管理控制器，可用於空間受限且對成本敏感的應用。MCP73113/4 器件可以為鋰離子/ 鋰聚合物電池提供特定的充電演算法，以在最短的充電時間內獲得最優的電量和安全性。除了物理尺寸小巧以外，外部組件數量少也使得MCP73113/4 非常適合於可擕式應用。
MCP73113/4 的絕對電壓可達18V，因此可以在由於使用低成本壁式適配器或插拔插頭而導致的高電壓峰值等惡劣環境下使用。
MCP73113/4 器件採用恒流/ 恒壓充電演算法。多種充電電壓調節使得設計工程師可以靈活地將其用於各種應用。對於快速充電，通過一個外部電阻將恒流值設置在130 mA 至1100 mA 範圍內。MCP73113/4 器件在高功率或高環境溫度條件下會根據管芯溫度限制充電電流。熱調節優化了充電週期，同時維持器件的穩定性。
MCP73113/4 的PROG 引腳還充當使能引腳。設置為高阻抗時， MCP73113/4 將工作在待機模式下。
MCP73113/4 器件可正常工作在-40°C 至+85°C 的環境溫度範圍內。採用10 引腳DFN 封裝形式。
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P沟MOSF管NDS8433A
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 FDS8433A 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 10（V）
N沟MOSF管IRFZ24NS
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFZ24NS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 55（V） 夹断电压 55（V） 极间电容 370（pF） 漏极电流 170（mA） 耗散功率 3800（mW） TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRFZ24NS(LPbF)产品相片IRFS4228TRLPBF标准包装800类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C70 毫欧 @ 10A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(...
