品牌/商标 | MIT日本三菱 | 型号/规格 | 2SK1382 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MW/微波 |
封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
开启电压 | n(V) | 夹断电压 | n(V) |
跨导 | n(μS) | 极间电容 | n(pF) |
低频噪声系数 | n(dB) | 漏极电流 | n(mA) |
耗散功率 | n(mW) |
品牌/商标 进口 型号/规格 4N80 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MW/微波 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 n(V) 夹断电压 n(V) 跨导 n(μS) 极间电容 n(pF) 低频噪声系数 n(dB) 漏极电流 n(mA) 耗散功率 n(mW) 4N80 4N80 4N80 4N80 4N80 4N80 4N80 4N80 4N80 4N80 4N80 4N80 4N80 批发IR、ST、MOT、NEC、仙童、富士通、东芝、三菱、松下、乐松、红宝石、黑金刚、三...
品牌/商标 MIT日本三菱 型号/规格 2SK1389 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MW/微波 封装外形 CHIP/小型片状 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 n(V) 夹断电压 n(V) 跨导 n(μS) 极间电容 n(pF) 低频噪声系数 n(dB) 漏极电流 n(mA) 耗散功率 n(mW) 2SK1389 2SK1389 2SK1389 2SK1389 2SK1389 2SK1389 2SK1389 2SK1389 2SK1389 2SK1389 批发IR、ST、MOT、NEC、仙童、富士通、东芝、三菱、松下、乐松、红宝石、黑金刚、...