N沟MOSF管IRFZ46NS，欢迎来电
| 价 格： | 5.00 |
| 品牌/商标 | ZET英国XETEX | 型号/规格 | IRFZ46NS |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | LLCC/无引线陶瓷片载 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 55（V） | 夹断电压 | 55（V） |
| 极间电容 | 1696（pF） | 漏极电流 | 280（mA） |
| 耗散功率 | 380（mW） |
| IRFZ46NSPbF, IRFZ46NLPbF |
| D2PAK Pkg |
| D2Pak Side |
| 800 |
| 分离式半导体产品 |
| MOSFET，GaNFET - 单 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 16.5 毫欧 @ 28A, 10V |
| 55V |
| 4V @ 250µA |
| 72nC @ 10V |
| 53A |
| 1696pF @ 25V |
| 3.8W |
| 表面贴装 |
| D²Pak，TO-263（2 引线 + 接片） |
| 带卷 (TR) |
| 1375 (CN091-10 PDF) |
| IRFZ46NSTRLPBF-ND IRFZ46NSTRLPBFTR |
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 孔维年
- 电话：755-83260808
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N沟MOSF管IRFR4104, 40v,42a,
信息内容：品牌/商标 ZET英国XETEX 型号/规格 IRFR4104 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 40（V） 夹断电压 40（V） 极间电容 2950（pF） 漏极电流 420（mA） 耗散功率 140（mW） TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFE数据列表IRFR4104PbF, IRFU4104PbF产品相片DPAK Pkg产品目录绘图D Pak Side标准包装2,000类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C5.5 毫欧 @ 42A, 10V漏极至源极电压(Vdss)40VId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs89nC @...
Microchip - 锂电池充电芯片 MCP73113/4, MCP73123
信息内容：品牌/商标 MICROCHIP 型号/规格 MCP73113 封装 SOIC10 批号 11+ 类型 通信IC MCP73113/4 是高度集成的鋰離子電池充電管理控制器，可用於空間受限且對成本敏感的應用。MCP73113/4 器件可以為鋰離子/ 鋰聚合物電池提供特定的充電演算法，以在最短的充電時間內獲得最優的電量和安全性。除了物理尺寸小巧以外，外部組件數量少也使得MCP73113/4 非常適合於可擕式應用。MCP73113/4 的絕對電壓可達18V，因此可以在由於使用低成本壁式適配器或插拔插頭而導致的高電壓峰值等惡劣環境下使用。MCP73113/4 器件採用恒流/ 恒壓充電演算法。多種充電電壓調節使得設計工程師可以靈活地將其用於各種應用。對於快速充電，通過一個外部電阻將恒流值設置在130 mA 至1100 mA 範圍內。MCP73113/4 器件在高功率或高環境溫度條件下會根據管芯溫度限制充電電流。熱調節優化了充電週期，同時維持器件的穩定性。MCP73113/4 的PROG 引腳還充當使能引腳。設置為高阻抗時， MCP73113/4 將工作在待機模式下...
