N沟MOSF管IRLML2803
| 价 格： | 2.00 |
| 品牌/商标 | Federick美国 | 型号/规格 | IRLML2803 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 30（V） | 极间电容 | 85（pF） |
| 漏极电流 | 12（mA） | 耗散功率 | 540（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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P沟MOSF管SI9434DYMOS管P沟道
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 SI9434DY 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 4.5（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） SO8, P沟MOSFET数据列表SI9434BDY产品相片8-SOIC产品目录绘图DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C40 毫欧 @ 6.3A, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)2...
N沟MOSF管FDS6990A
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 FDS6990A 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 开启电压 10（V） 夹断电压 10（V） 漏极电流 110（mA） 数据列表FDS6690A产品相片8-SOIC Pkg产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing产品变化通告Cu Wirebond Change 12/Oct/2007Mold Compound Change 12/Dec/2007产品目录绘图Power MOSFET, 8-SOP, SO-8标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列PowerTrench®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C12.5 毫欧 @ 11A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30VId 时的 Vgs(th)（）3V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 5V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A在 Vds 时的输入电容(Ciss)1205pF @ 15V功率 - 1W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC（3.9mm 宽）...
