品牌/商标 | AOS | 型号/规格 | AO3401,AO3402,AO3404 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
材料 | GE-P-FET锗P沟道 | 开启电压 | 30(V) |
夹断电压 | 15(V) | 跨导 | 0(μS) |
极间电容 | 0(pF) | 低频噪声系数 | 0(dB) |
漏极电流 | 0(mA) | 耗散功率 | 0(mW) |
品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRFL4310 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 100(V) 夹断电压 4(V) 极间电容 330(pF) 漏极电流 1600(mA) 耗散功率 10000(mW) SOT-223, N沟MOS数据列表IRFL4310PbF产品相片IRFL4310TRPBF产品目录绘图IRFL(L) Series Top标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 1.6A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100VI...
品牌/商标 ZET英国XETEX 型号/规格 NDT2955 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 材料 P-FET硅P沟道 夹断电压 60(V) 极间电容 601(pF) 漏极电流 250(mA) 耗散功率 1100(mW) 数据列表NDT2955产品相片SOT-223-4产品培训模块High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch产品目录绘图MOSFET SOT-223 Pkg标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列-FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C300 毫欧 @ 2.5A, 10V漏极至源极电压(Vdss)60VId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 10V电流 - 连续漏极(Id...