P沟MOSF管NDS336P
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | NDS336P |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 20（V） | 夹断电压 | 4.5（V） |
| 跨导 | 0（μS） | 极间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | 漏极电流 | 0（mA） |
| 耗散功率 | 0（mW） |
SOT-23 12V-400V, P沟MOSFET
| NDS336P |
| SOT-23-3 |
| Mold Compound Change 07/Dec/2007 Product Discontinuation 09/Sept/2008 |
| SuperSOT-3, SOT-23 |
| 3,000 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| - |
| MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 200 毫欧 @ 1.3A, 4.5V |
| 20V |
| 1.2A |
| 1V @ 250µA |
| 8.5nC @ 4.5V |
| 360pF @ 10V |
| 460mW |
| 表面贴装 |
| TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管FDD6670S
信息内容：品牌/商标 FCH美国范恰得 型号/规格 FDD6670S 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 30（V） 夹断电压 3（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
场效应三极管AO3401,AO3402
信息内容：品牌/商标 AOS 型号/规格 AO3401,AO3402,AO3404 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-P-FET锗P沟道 开启电压 30（V） 夹断电压 15（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
