品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | FDS2582 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
开启电压 | 150(V) | 夹断电压 | 10(V) |
跨导 | 0(μS) | 极间电容 | 0(pF) |
低频噪声系数 | 0(dB) | 漏极电流 | 0(mA) |
耗散功率 | 0(mW) |
FDS2582 |
8-SOIC |
High Voltage Switches for Power Processing |
Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
2,500 |
分离式半导体产品 |
FET - 单路 |
PowerTrench® |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
逻辑电平门 |
66 毫欧 @ 4.1A, 10V |
150V |
4.1A |
4V @ 250µA |
25nC @ 10V |
1290pF @ 25V |
2.5W |
表面贴装 |
8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽) |
8-SOICN |
带卷 (TR) |
品牌/商标 国产 型号/规格 BC847PN 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 45(V) 截止频率fT 300(MHz) 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装
品牌/商标 其他 型号/规格 NDS336P 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 20(V) 夹断电压 4.5(V) 跨导 0(μS) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW) SOT-23 12V-400V, P沟MOSFET数据列表NDS336P产品相片SOT-23-3产品变化通告Mold Compound Change 07/Dec/2007Product Discontinuation 09/Sept/2008产品目录绘图SuperSOT-3, SOT-23标准包装3,000类别分离式...