价 格: | 面议 | |
型号/规格: | 2SK4101LS | |
品牌/商标: | SANYO(三洋) | |
封装形式: | TO-220F | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 1000/盒 |
2SK4101LS,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,7A,1.1Ω
特点
* 低导通电阻,低输入电容,超高速开关。
* 高可靠性(通过HVP过程)。
* 的附件可操作性是由云母包好。
* 雪崩电阻的保证。
产品型号:2SK4101LS 通用开关设备应用
封装:TO-220F
品牌:SANYO/三洋
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):7
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.1 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):35
输入电容Ciss(PF):750 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):4.6
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):289
导通延迟时间Td(on)(ns):21 typ.
上升时间Tr(ns):40 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):89 typ.
下降时间Tf(ns):31 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:2SK4101LS 650V,7A N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营:各种三极管、场效应管、可控硅、稳压IC、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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SSM6P36FE,SOT-563(1.6*1.6),SMD/MOS,双P,-20V,-0.33A,1.31Ω,带ESD二极静电保护 产品型号:SSM6P36FE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type 应用: * Power Management Switches/电源管理开关 特点: * 1.5-V驱动器 * 低导通电阻:Ron = 3.60 Ω (max) (@VGS = -1.5 V) :Ron = 2.70 Ω (max) (@VGS = -1.8 V) :Ron = 1.60 Ω (max) (@VGS = -2.8 V) :Ron = 1.31 Ω (max) (@VGS = -4.5 V) 封装:SOT-563 品牌:TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20 夹断电压VGS(V):±8 漏极电流Id(A):-0.33 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.31 @VGS = -4.5 V 开启电压VGS(TH)(V):-1 功率PD(W):0.15 输入电容Ciss(PF):43 typ. 通道极性:双P 低频跨导gFS(ms):190 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):90 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):200 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM6P36FE,-20V,-0.33A 双P-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,...
SSM6N55NU,UDFN6,SMD/MOS,双N,30V,4A,0.045Ω,带二极静电保护 MOSFETs Silicon N-Channel MOS 应用: * Power Management Switches/电源管理开关 * DC-DC Converters/DC-DC转换器 特点: * 4.5V的栅极驱动电压。 * 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 46 mΩ (max) (@VGS = 10 V) : RDS(ON) = 64 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) 产品型号:SSM6N55NU 封装:UDFN6 品牌:TOSHIBA/东芝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):4 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.046 @VGS =10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.5 功率PD(W):0.5 输入电容Ciss(PF):280 typ. 通道极性:双N沟道 低频跨导gFS(s):6.8 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):12 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:SSM6N55NU,30V,4A 双N-沟道增强型场效应晶体管 dzsc/19/4367/19436794.jpg 深圳市金城微零件有限公司 地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营:各种三...