供应 场效应管 SSM6N55NU
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SSM6N55NU | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | UDFN6 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
SSM6N55NU,UDFN6,SMD/MOS,双N,30V,4A,0.045Ω，带二极静电保护
MOSFETs Silicon N-Channel MOS
应用:
* Power Management Switches/电源管理开关
* DC-DC Converters/DC-DC转换器
特点：
* 4.5V的栅极驱动电压。
* 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 46 mΩ (max) (@VGS = 10 V)
: RDS(ON) = 64 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)
产品型号:SSM6N55NU
封装:UDFN6
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):4
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.046 @VGS =10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.5
功率PD(W):0.5
输入电容Ciss(PF):280 typ.
通道极性:双N沟道
低频跨导gFS(s)：6.8
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):12 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM6N55NU,30V,4A 双N-沟道增强型场效应晶体管
dzsc/19/4367/19436794.jpg
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\.)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 SSM6N37FE SSM6N44FE SSM6N15FE
信息内容：新到TOSHIBA/东芝系列SOT-323，SOT-23，SOT-416 SOT-563，SOT-723，SOT-883，CST4，UDFN6B，UDFN6 等小体积MOS,带二极静电保护，用于锂电保护,航模电调，无刷电机，移动电源，手机等应用，全新原装，现货供应，欢迎咨询。 SSM6N15FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,双N,30V,0.1A,4Ω SSM6N37FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,双N,20V,0.25A,2.2Ω SSM6N44FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,双N,30V,0.1A,4Ω 产品型号:SSM6N15FE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type 应用: * 高速开关应用 * 模拟开关应用 特点： * 小封装 * 低导通电阻：Ron = 4.0 Ω (max) (@VGS = 4 V) : Ron = 7.0 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) 封装:SOT-563 品牌：TOSHIBA/东芝 通道极性:双N沟道 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30V 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):0.1 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):4 @VGS = -4 V 开启电压VGS(TH)(V):1.5 功率PD(W):0.15 输入电容Ciss(PF):7.8 typ. 低频跨导gFS(ms)：25 导通延迟时间Td(on)(ns):50 typ. 关断延迟时...
供应 场效应管 Si3433CDV-T1-GE3 Si3433CDV
信息内容：产品型号:Si3433CDV P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 特点 * 无卤素根据IEC 61249-2-21可用的 * 的TrenchFET 功率MOSFET 应用 * 负荷开关 * 笔记本电脑 封装:SOT-23-6/TSOP-6 品牌：VISHAY 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20 夹断电压VGS(V):±8 漏极电流Id(A):-6 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.038 @VGS = -4.5 V 开启电压VGS(TH)(V):-1 功率PD(W):3.3 输入电容Ciss(PF):1300 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：20 导通延迟时间Td(on)(ns):20 typ. 上升时间Tr(ns):22 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):50 typ. 下降时间Tf(ns):20 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:Si3433CDV-T1-GE3,-20V,-6A,0.038Ω N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
