供应 场效应管 SSM6N37FE SSM6N44FE SSM6N15FE
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SSM6N37FE | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | SOT-563-6 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 4000/盘 |
新到TOSHIBA/东芝系列SOT-323，SOT-23，SOT-416
SOT-563，SOT-723，SOT-883，CST4，UDFN6B，UDFN6
等小体积MOS,带二极静电保护，用于锂电保护,航模电调，无刷电机，移动电源，手机等应用，全新原装，现货供应，欢迎咨询。
SSM6N15FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,双N,30V,0.1A,4Ω
SSM6N37FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,双N,20V,0.25A,2.2Ω
SSM6N44FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,双N,30V,0.1A,4Ω
产品型号:SSM6N15FE
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type
应用:
* 高速开关应用
* 模拟开关应用
特点：
* 小封装
* 低导通电阻：Ron = 4.0 Ω (max) (@VGS = 4 V)
: Ron = 7.0 Ω (max) (@VGS = 2.5 V)
封装:SOT-563
品牌：TOSHIBA/东芝
通道极性:双N沟道
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30V
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):0.1
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):4 @VGS = -4 V
开启电压VGS(TH)(V):1.5
功率PD(W):0.15
输入电容Ciss(PF):7.8 typ.
低频跨导gFS(ms)：25
导通延迟时间Td(on)(ns):50 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):180 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM6N15FE,30V,0.1A,4Ω 双N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 Si3433CDV-T1-GE3 Si3433CDV
信息内容：产品型号:Si3433CDV P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 特点 * 无卤素根据IEC 61249-2-21可用的 * 的TrenchFET 功率MOSFET 应用 * 负荷开关 * 笔记本电脑 封装:SOT-23-6/TSOP-6 品牌：VISHAY 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20 夹断电压VGS(V):±8 漏极电流Id(A):-6 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.038 @VGS = -4.5 V 开启电压VGS(TH)(V):-1 功率PD(W):3.3 输入电容Ciss(PF):1300 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：20 导通延迟时间Td(on)(ns):20 typ. 上升时间Tr(ns):22 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):50 typ. 下降时间Tf(ns):20 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:Si3433CDV-T1-GE3,-20V,-6A,0.038Ω N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 FQP6N80 6N80
信息内容：产品型号:FQP6N80 800V N-Channel MOSFET 封装:TO-220 品牌：FAIRCHILD/仙童 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):800 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):5.8 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.95 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):158 输入电容Ciss(PF):1150 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：5.9 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):680 导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ. 上升时间Tr(ns):70 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):65 typ. 下降时间Tf(ns):45 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:FQP6N80,TO-220,DIP/MOS,N场,800V,5.8A,1.95Ω N-沟道增强型场效应晶体管 These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary,planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited fo...
