供应 场效应管 Si3433CDV-T1-GE3 Si3433CDV
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | Si3433CDV-T1-GE3 | |
| 品牌/商标： | VISHAY | |
| 封装形式： | TSOP-6 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 |
产品型号:Si3433CDV
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
特点
* 无卤素根据IEC 61249-2-21可用的
* 的TrenchFET 功率MOSFET
应用
* 负荷开关
* 笔记本电脑
封装:SOT-23-6/TSOP-6
品牌：VISHAY
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20
夹断电压VGS(V):±8
漏极电流Id(A):-6
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.038 @VGS = -4.5 V
开启电压VGS(TH)(V):-1
功率PD(W):3.3
输入电容Ciss(PF):1300 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s)：20
导通延迟时间Td(on)(ns):20 typ.
上升时间Tr(ns):22 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):50 typ.
下降时间Tf(ns):20 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:Si3433CDV-T1-GE3,-20V,-6A,0.038Ω N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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供应 场效应管 FQP6N80 6N80
信息内容：产品型号:FQP6N80 800V N-Channel MOSFET 封装:TO-220 品牌：FAIRCHILD/仙童 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):800 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):5.8 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.95 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):158 输入电容Ciss(PF):1150 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：5.9 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):680 导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ. 上升时间Tr(ns):70 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):65 typ. 下降时间Tf(ns):45 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:FQP6N80,TO-220,DIP/MOS,N场,800V,5.8A,1.95Ω N-沟道增强型场效应晶体管 These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary,planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited fo...
供应 场效应管 FQPF10N20C FQPF32N20C
信息内容：产品型号:FQPF10N20C 200V N-Channel MOSFET 封装:TO-220F 品牌：FAIRCHILD/仙童 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):200 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):9.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.36 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):38 输入电容Ciss(PF):395 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：5.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):210 导通延迟时间Td(on)(ns):11 typ. 上升时间Tr(ns):92 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):70 typ. 下降时间Tf(ns):72 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:FQPF10N20C,TO-220F,DIP/MOS,N场,200V,9.5A,0.36Ω N-沟道增强型场效应晶体管 These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary,planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well sui...
