供应 场效应管 FQP6N80 6N80
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FQP6N80 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD（飞兆） | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
产品型号:FQP6N80 800V N-Channel MOSFET
封装:TO-220
品牌：FAIRCHILD/仙童
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):800
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):5.8
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.95 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):158
输入电容Ciss(PF):1150 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：5.9
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):680
导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ.
上升时间Tr(ns):70 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):65 typ.
下降时间Tf(ns):45 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:FQP6N80,TO-220,DIP/MOS,N场,800V,5.8A,1.95Ω N-沟道增强型场效应晶体管
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary,planar stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supply.
特点：
* 5.8A, 800V, RDS(on) = 1.95Ω @VGS = 10 V
* Low gate charge ( typical 31 nC)
* Low Crss ( typical 14 pF)
* Fast switching
* 100% avalanche tested
* Improved dv/dt capability
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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供应 场效应管 FQPF10N20C FQPF32N20C
信息内容：产品型号:FQPF10N20C 200V N-Channel MOSFET 封装:TO-220F 品牌：FAIRCHILD/仙童 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):200 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):9.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.36 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):38 输入电容Ciss(PF):395 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：5.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):210 导通延迟时间Td(on)(ns):11 typ. 上升时间Tr(ns):92 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):70 typ. 下降时间Tf(ns):72 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:FQPF10N20C,TO-220F,DIP/MOS,N场,200V,9.5A,0.36Ω N-沟道增强型场效应晶体管 These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary,planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well sui...
供应 三极管13007 FJP13007H1TU FJP13007
信息内容：产品型号:FJP13007 High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor/高电压快速开关NPN功率晶体管 特点： * High Voltage Capability/高电压性能 * High Switching Speed/高开关速度 应用： * Suitable for Electronic Ballast and Switching Mode Power Supply/适用于电子镇流器和开关电源 封装:TO-220 品牌：FAIRCHILD/仙童 通道极性:NPN 集电极-基极电压VCBO(V):700 集电极-发射极电压VCEO(V):400 发射极-基极电压VEBO(V):9 集电极电流 IC(A):8 功率PC(W):80 特征频率fT(MHZ):4 放大倍数hFE:H1：5-28 H2：26-39 集电极-发射极饱和电压VCEsat(V) :3 结温Tj(℃)150 存储温度T stg(℃): -65 ~150 描述:FJP13007H1TU,400V,8A, NPN硅晶体管/三极管 金城微零件在半导体行业中以主营场效应管而独具特色，我们以大量现货为优势，可根据参数需要为客户提供应用型号，致力成为该领域在华南地区供应商之一，为客户提供相关应用质的技术支持。 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压Ｉ...
