供应 三极管13007 FJP13007H1TU FJP13007
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FJP13007H1TU | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD（飞兆） | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 | |
| 极性： | NPN型 |
产品型号:FJP13007
High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor/高电压快速开关NPN功率晶体管
特点：
* High Voltage Capability/高电压性能
* High Switching Speed/高开关速度
应用：
* Suitable for Electronic Ballast and Switching Mode Power Supply/适用于电子镇流器和开关电源
封装:TO-220
品牌：FAIRCHILD/仙童
通道极性:NPN
集电极-基极电压VCBO(V):700
集电极-发射极电压VCEO(V):400
发射极-基极电压VEBO(V):9
集电极电流 IC(A):8
功率PC(W):80
特征频率fT(MHZ):4
放大倍数hFE:H1：5-28 H2：26-39
集电极-发射极饱和电压VCEsat(V) :3
结温Tj(℃)150
存储温度T stg(℃): -65 ~150
描述:FJP13007H1TU,400V,8A, NPN硅晶体管/三极管
金城微零件在半导体行业中以主营场效应管而独具特色，我们以大量现货为优势，可根据参数需要为客户提供应用型号，致力成为该领域在华南地区供应商之一，为客户提供相关应用质的技术支持。
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 2SK4086LS 2SK4086 K4086
信息内容：2SK4086LS,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,11.5A,0.75Ω 产品型号:2SK4086LS 封装:TO-220F 品牌：SANYO/三洋 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):11.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.75 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):37 输入电容Ciss(PF):1000 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：7 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):79 导通延迟时间Td(on)(ns):43 typ. 上升时间Tr(ns):22 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):56 typ. 下降时间Tf(ns):120 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:2SK4086LS 600V,11.5A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 2SK4100LS 2SK4100 K4100
信息内容：2SK4100LS,SANYO,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,6A,1.35Ω 特点 * 低导通电阻，低输入电容，超高速开关。 * 高可靠性（通过HVP过程）。 * 的附件可操作性是由云母包好。 * 雪崩电阻的保证。 产品型号:2SK4100LS 通用开关设备应用 封装:TO-220F 品牌：SANYO/三洋 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):6 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.35 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):33 输入电容Ciss(PF):600 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：4 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):105 导通延迟时间Td(on)(ns):18 typ. 上升时间Tr(ns):41 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):78 typ. 下降时间Tf(ns):28 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:2SK4100LS 650V,6A N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品...
