供应 场效应管 2SK4100LS 2SK4100 K4100
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 2SK4100LS | |
| 品牌/商标： | SANYO（三洋） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
2SK4100LS,SANYO,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,6A,1.35Ω
特点
* 低导通电阻，低输入电容，超高速开关。
* 高可靠性（通过HVP过程）。
* 的附件可操作性是由云母包好。
* 雪崩电阻的保证。
产品型号:2SK4100LS 通用开关设备应用
封装:TO-220F
品牌：SANYO/三洋
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):6
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.35 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):33
输入电容Ciss(PF):600 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：4
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):105
导通延迟时间Td(on)(ns):18 typ.
上升时间Tr(ns):41 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):78 typ.
下降时间Tf(ns):28 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:2SK4100LS 650V,6A N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\.)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 500V场效应管 FDPF5N50T 5N50
信息内容：产品型号:FDPF5N50T N-Channel UniFET MOSFET 特点: * RDS(on) = 1.15Ω (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 2.5 A * Low Gate Charge (Typ. 11 nC) * Low Crss (Typ. 5 pF) * 100% Avalanche Tested * Improved dv/dt Capability * RoHS Compliant Applications/应用 * LCD/LED TV...........................LCD/LED 电视 * Lighting.............................照明产品 * Uninterruptible Power Supply.........UPS不间断电源 * AC-DC Power Supply lications.........交流转直流电源应用 封装:TO-220F 品牌：FAIRCHILD/仙童 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.4 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):28 输入电容Ciss(PF):480 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：4.3 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):225 导通延迟时间Td(on)(ns):13 typ. 上升时间Tr(ns):22 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):28 typ. 下降时间Tf(ns):20 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:FDPF...
供应 场效应管 FDPF10N50FT 10N50
信息内容：产品型号:FDPF10N50FT 500V N-Channel MOSFET 封装:TO-220F 品牌：FAIRCHILD/仙童 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):9 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.85 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):42 输入电容Ciss(PF):880 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：8.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):364 导通延迟时间Td(on)(ns):20 typ. 上升时间Tr(ns):40 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):45 typ. 下降时间Tf(ns):30 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:FDPF10N50FT,TO-220F,DIP/MOS,N场,500V,9A,0.85Ω N-沟道增强型场效应晶体管 These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary,planar stripe, DMOS technology. This advance technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance,and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited ...
