供应 500V场效应管 FDPF5N50T 5N50
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FDPF5N50T | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD（飞兆） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
产品型号:FDPF5N50T N-Channel UniFET MOSFET
特点:
* RDS(on) = 1.15Ω (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 2.5 A
* Low Gate Charge (Typ. 11 nC)
* Low Crss (Typ. 5 pF)
* 100% Avalanche Tested
* Improved dv/dt Capability
* RoHS Compliant
Applications/应用
* LCD/LED TV...........................LCD/LED 电视
* Lighting.............................照明产品
* Uninterruptible Power Supply.........UPS不间断电源
* AC-DC Power Supply lications.........交流转直流电源应用
封装:TO-220F
品牌：FAIRCHILD/仙童
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.4 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):28
输入电容Ciss(PF):480 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：4.3
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):225
导通延迟时间Td(on)(ns):13 typ.
上升时间Tr(ns):22 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):28 typ.
下降时间Tf(ns):20 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:FDPF5N50T,TO-220F,DIP/MOS,N场,500V,5A,1.4Ω N-沟道增强型场效应晶体管
UniFET MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology.This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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供应 场效应管 FDPF10N50FT 10N50
信息内容：产品型号:FDPF10N50FT 500V N-Channel MOSFET 封装:TO-220F 品牌：FAIRCHILD/仙童 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):9 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.85 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):42 输入电容Ciss(PF):880 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：8.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):364 导通延迟时间Td(on)(ns):20 typ. 上升时间Tr(ns):40 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):45 typ. 下降时间Tf(ns):30 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:FDPF10N50FT,TO-220F,DIP/MOS,N场,500V,9A,0.85Ω N-沟道增强型场效应晶体管 These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary,planar stripe, DMOS technology. This advance technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance,and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited ...
供应 场效应管 BXL4001
信息内容：BXL4001,TO-220,DIP/MOS,N场,75V,85A,0.0124Ω 产品型号:BXL4001 通用开关设备应用 封装:TO-220 品牌：SANYO/三洋 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):75 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):85 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0124 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):75 输入电容Ciss(PF):6700 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：75 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):211 导通延迟时间Td(on)(ns):75 typ. 上升时间Tr(ns):340 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):260 typ. 下降时间Tf(ns):170 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:BXL4001 75V,85A N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
