供应 场效应管 BXL4001
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BXL4001 | |
| 品牌/商标： | SANYO（三洋） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
BXL4001,TO-220,DIP/MOS,N场,75V,85A,0.0124Ω
产品型号:BXL4001 通用开关设备应用
封装:TO-220
品牌：SANYO/三洋
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):75
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):85
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0124 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):75
输入电容Ciss(PF):6700 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：75
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):211
导通延迟时间Td(on)(ns):75 typ.
上升时间Tr(ns):340 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):260 typ.
下降时间Tf(ns):170 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:BXL4001 75V,85A N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 APM2054NUC-TR APM2054NU
信息内容：产品型号:APM2054NUC-TR N-Channel Enhancement Mode MOSFET 应用 * Power Management in Desktop Computer or 平板电脑的电源管理 * DC/DC Converters/DC/ DC转换器 Features/特点： * 20V/20A,RDS(ON)=35mW (typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=45mW (typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=110mW (typ.) @ VGS=2.5V * 超级高密度电池设计 * 可靠耐用的 * 无铅（符合RoHS) 封装:SOT-252 品牌：茂达 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20 夹断电压VGS(V):±16 漏极电流Id(A):20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.04 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):1.5 功率PD(W):50 输入电容Ciss(PF):450 typ. 通道极性:N沟道 导通延迟时间Td(on)(ns):7 typ. 上升时间Tr(ns):15 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):19 typ. 下降时间Tf(ns):6 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:APM2054NUC-TR,20V,20A,0.04Ω N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三极管、场效应管、...
供应 场效应管 APM3055LUC-TR APM3055
信息内容：产品型号:APM3055LUC-TR N-Channel Enhancement Mode MOSFET 应用 * 平板电脑和电源管理 * DC/ DC转换器 Features/特点： * 30V/20A,RDS(ON)=75mW (typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=100mW (typ.) @ VGS=4.5V * 超级高密度电池设计 * 可靠耐用的 * 铅免费和绿色设备（符合RoHS） 封装:SOT-252 品牌：茂达 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.1 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2 功率PD(W):50 输入电容Ciss(PF):230 typ. 通道极性:N沟道 导通延迟时间Td(on)(ns):4 typ. 上升时间Tr(ns):11 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ. 下降时间Tf(ns):3 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:APM3055LUC-TR,30V,20A,0.1Ω N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产...
