价 格: | 面议 | |
型号/规格: | APM3055LUC-TR | |
品牌/商标: | 茂达 | |
封装形式: | SOT-252 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 2500/盘 |
产品型号:APM3055LUC-TR
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
应用
* 平板电脑和电源管理
* DC/ DC转换器
Features/特点:
* 30V/20A,RDS(ON)=75mW (typ.) @ VGS=10V
RDS(ON)=100mW (typ.) @ VGS=4.5V
* 超级高密度电池设计
* 可靠耐用的
* 铅免费和绿色设备(符合RoHS)
封装:SOT-252
品牌:茂达
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):20
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.1 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):50
输入电容Ciss(PF):230 typ.
通道极性:N沟道
导通延迟时间Td(on)(ns):4 typ.
上升时间Tr(ns):11 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ.
下降时间Tf(ns):3 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:APM3055LUC-TR,30V,20A,0.1Ω N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营:各种三极管、场效应管、可控硅、稳压IC、开关电源IC、肖特基、IGBT等
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\.)
2SK4087LS,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,14A,0.61Ω 特点 * 低导通电阻,低输入电容,超高速开关。 * 高可靠性(通过HVP过程)。 * 的附件可操作性是由云母包好。 * 雪崩电阻的保证。 产品型号:2SK4087LS 通用开关设备应用 封装:TO-220F 品牌:SANYO/三洋 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):14 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.61 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):40 输入电容Ciss(PF):1200 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s):8 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):117 导通延迟时间Td(on)(ns):72 typ. 上升时间Tr(ns):27 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):48 typ. 下降时间Tf(ns):144 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:2SK4087LS 600V,14A N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营:各种三极管、场效应管、可控硅、稳压IC、开关电源IC、肖特基、IGBT等 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信...
2SK3706,TO-220F,DIP/MOS,N场,100V,12A,0.013Ω 产品型号:2SK3706 封装:TO-220F 品牌:SANYO/三洋 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):12 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.13 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.6 功率PD(W):20 输入电容Ciss(PF):880 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s):10 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):18 导通延迟时间Td(on)(ns):11.5 typ. 上升时间Tr(ns):16 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):97 typ. 下降时间Tf(ns):45 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:2SK3706 100V,12A N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营:各种三极管、场效应管、可控硅、稳压IC、开关电源IC、肖特基、IGBT等 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)