供应 场效应管 2SK3706 K3706
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 2SK3706 | |
| 品牌/商标： | SANYO（三洋） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
2SK3706,TO-220F,DIP/MOS,N场,100V,12A,0.013Ω
产品型号:2SK3706
封装:TO-220F
品牌：SANYO/三洋
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):12
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.13 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.6
功率PD(W):20
输入电容Ciss(PF):880 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：10
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):18
导通延迟时间Td(on)(ns):11.5 typ.
上升时间Tr(ns):16 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):97 typ.
下降时间Tf(ns):45 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:2SK3706 100V,12A N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 2SK3467 2SK3467-ZK K3467
信息内容：产品型号:2SK3467-ZK MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-沟道功率MOSFET 应用: 开关 工业用途 特点: * 4.5 V可驱动 * 低通态电阻 RDS(on)1 = 6.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) * 低栅极电荷 QG = 55 nC TYP. (ID = 80 A, VDD = 16 V, VGS = 10 V) * 内置栅极保护二极管 * 表面贴装器件 封装:SOT-263 品牌：NEC 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):80 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.5 功率PD(W):76 输入电容Ciss(PF):2800 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：20 导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ. 上升时间Tr(ns):23 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):74 typ. 下降时间Tf(ns):31 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:2SK3467-ZK,20V,80A,0.006Ω N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等 (产品图片,产...
供应 场效应管 AP2764AI AP2764 2764AI
信息内容：产品型号:AP2764AI 特点： * 100％雪崩测试 * 快速开关特性 * 简单的驱动要求 封装:TO-220F 品牌：AP/富鼎 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):9 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.1 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):37 输入电容Ciss(PF):2730 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：8 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):32 导通延迟时间Td(on)(ns):36 typ. 上升时间Tr(ns):46 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):465 typ. 下降时间Tf(ns):87 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:AP2764AI,600V,9A,1.1Ω N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
