供应 场效应管 2SK3467 2SK3467-ZK K3467
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 2SK3467 | |
| 品牌/商标： | NEC | |
| 封装形式： | SOT-263 | |
| 环保类别： | 普通型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 800/盘 |
产品型号:2SK3467-ZK MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
N-沟道功率MOSFET
应用:
开关
工业用途
特点:
* 4.5 V可驱动
* 低通态电阻 RDS(on)1 = 6.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)
* 低栅极电荷 QG = 55 nC TYP. (ID = 80 A, VDD = 16 V, VGS = 10 V)
* 内置栅极保护二极管
* 表面贴装器件
封装:SOT-263
品牌：NEC
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):80
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.5
功率PD(W):76
输入电容Ciss(PF):2800 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：20
导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ.
上升时间Tr(ns):23 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):74 typ.
下降时间Tf(ns):31 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:2SK3467-ZK,20V,80A,0.006Ω N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 AP2764AI AP2764 2764AI
信息内容：产品型号:AP2764AI 特点： * 100％雪崩测试 * 快速开关特性 * 简单的驱动要求 封装:TO-220F 品牌：AP/富鼎 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):9 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.1 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):37 输入电容Ciss(PF):2730 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：8 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):32 导通延迟时间Td(on)(ns):36 typ. 上升时间Tr(ns):46 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):465 typ. 下降时间Tf(ns):87 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:AP2764AI,600V,9A,1.1Ω N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 AP3310GH,AP3310H,3310GH
信息内容：产品型号:AP3310GH 特点： * 简单的驱动要求 * 低导通电阻 * 快速开关特性 * 符合RoHS及无卤素 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20 夹断电压VGS(V):±12 漏极电流Id(A):-10 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.15 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):-0.5 MIN 功率PD(W):25 输入电容Ciss(PF):1160 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：4.4 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):25 typ. 上升时间Tr(ns):60 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):70 typ. 下降时间Tf(ns):60 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:-20V,-10A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
