供应 场效应管 AP2764AI AP2764 2764AI
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AP2764AI | |
| 品牌/商标： | AP/富鼎 | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
产品型号:AP2764AI
特点：
* 100％雪崩测试
* 快速开关特性
* 简单的驱动要求
封装:TO-220F
品牌：AP/富鼎
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):9
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.1 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):37
输入电容Ciss(PF):2730 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：8
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):32
导通延迟时间Td(on)(ns):36 typ.
上升时间Tr(ns):46 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):465 typ.
下降时间Tf(ns):87 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:AP2764AI,600V,9A,1.1Ω N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 AP3310GH,AP3310H,3310GH
信息内容：产品型号:AP3310GH 特点： * 简单的驱动要求 * 低导通电阻 * 快速开关特性 * 符合RoHS及无卤素 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20 夹断电压VGS(V):±12 漏极电流Id(A):-10 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.15 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):-0.5 MIN 功率PD(W):25 输入电容Ciss(PF):1160 typ. 通道极性:P沟道 低频跨导gFS(s)：4.4 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):25 typ. 上升时间Tr(ns):60 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):70 typ. 下降时间Tf(ns):60 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:-20V,-10A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 STP80NF55-06 STP80NF55
信息内容：产品型号:STP80NF55-06 N -CHANNEL 55V - 0.005Ω- 80A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET 特点： * 典型的RDS（on）=0.005Ω * 出色的的dv/dt能力 * 100%雪崩测试 * 应用型表征 应用 * 电磁阀和继电器驱动器 * 电机控制，音频放大器 * DC-DC转换器 * 汽车环境 封装:TO-220 品牌：ST 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):55 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):80 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0065 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):210 输入电容Ciss(PF):8000 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：50 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):650 导通延迟时间Td(on)(ns):35 typ. 上升时间Tr(ns):240 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):260 typ. 下降时间Tf(ns):80 typ. 温度(℃): -65 ~175 描述:STP80NF55-06,55V,80A,0.0065Ω N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特...
