供应 场效应管 STP80NF55-06 STP80NF55
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | STP80NF55-06 | |
| 品牌/商标： | ST（意法半导体） | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 | |
| 功率特征： | 中功率 |
产品型号:STP80NF55-06
N -CHANNEL 55V - 0.005Ω- 80A TO-220/TO-220FP
STripFET POWER MOSFET
特点：
* 典型的RDS（on）=0.005Ω
* 出色的的dv/dt能力
* 100%雪崩测试
* 应用型表征
应用
* 电磁阀和继电器驱动器
* 电机控制，音频放大器
* DC-DC转换器
* 汽车环境
封装:TO-220
品牌：ST
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):55
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):80
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0065 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):210
输入电容Ciss(PF):8000 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：50
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):650
导通延迟时间Td(on)(ns):35 typ.
上升时间Tr(ns):240 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):260 typ.
下降时间Tf(ns):80 typ.
温度(℃): -65 ~175
描述:STP80NF55-06,55V,80A,0.0065Ω N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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供应 三极管 RT1N237C-T112-1 RT1N237
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供应 场效应管 AP40T03GH 40T03GH
信息内容：产品型号:AP40T03GH 特点 * 简单的驱动要求 * 低栅极电荷 * 快速切换 * 符合RoHS 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±25 漏极电流Id(A):28 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.025 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):31.25 输入电容Ciss(PF):655 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：20 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):250 导通延迟时间Td(on)(ns):6 typ. 上升时间Tr(ns):62 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):16 typ. 下降时间Tf(ns):4.4 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,28A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
