供应 三极管 RT1N237C-T112-1 RT1N237
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | RT1N237C-T112-1 | |
| 品牌/商标： | IDC | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 | |
| 极性： | NPN型 |
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AOS（应用：电池保护、MP3、MP4、机顶盒、电脑主板、显卡等）
AO3055、AO3413L、AO4405、AO4408L、AO4410、AO4415、AO4419、AO4422、AO4606、AO4611、
AO4702、AO4800、AO4805L、AO4824、AO4914L、AO4916、AO6405、AO6408L、AO6604、AO6605、
AO6701L、AO6702、AO6800、AO6801L、AO7401L、AO7801、AOB414、AOD407、AOD452、AOP600、AOP605、AOP607…等
开关电源IC（应用：普通电源、智能开关电源、大型显示器电源、液晶等）
BTS7710GP、DP308P、DP408P、DP804C、FSDH0165RN、FSDH565RN、ICE3BS02G、KA1M0880B、
KA2S0680BYDTU、KA2S0880YDTU、KA5H0265RC、KA5S0765RCYDTU、KA7552RN、SI-3033C、SI-8033S\...等
三极管系列
2SA1208、2SA1242、2SA1244、2SA1870、2SA1952、2SA2022、
2SB1182、2SB1184、2SB1202…1205、2SB1412、2SB772
2SC3148、2SC5706、2SC5707、2SD1802…1805、2SD1944、2SD2478、2SD882
BCW66、BD135F、BD237、BD241A、BD436、BUL903EDFP、
FZT591、FZT751、FZT753、FZT949HI350、HSC3953、HSD1609、KSC3502-E、
KSC5024FTU、KSD362RTU、KSD880-Y、KSD13009F、KSH50TF、KTB2955-O、
MJD340T4、MJD350T4、MJD44H11、MJF18004、PBSS5540Z、TIP31A、TIP42C、…等
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 AP40T03GH 40T03GH
信息内容：产品型号:AP40T03GH 特点 * 简单的驱动要求 * 低栅极电荷 * 快速切换 * 符合RoHS 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±25 漏极电流Id(A):28 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.025 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):31.25 输入电容Ciss(PF):655 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：20 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):250 导通延迟时间Td(on)(ns):6 typ. 上升时间Tr(ns):62 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):16 typ. 下降时间Tf(ns):4.4 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,28A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 LZP80N06P LZP80N06
信息内容：产品型号:LZP80N06 Features/特点: * Avalanche Rugged Technology/坚固的雪崩技术 * Rugged Gate Oxide Technology/坚固的门栅氧化层技术 * High di/dt Capability/高di/dt的能力 * Improved Gate Charge/改进的栅极电荷 * Wide Expanded Safe Operating Area/宽扩展安全工作区 Application/应用: * UPS * Car Inverter/车载逆变器 * E-bike/电动自行车 * SMPS 封装:TO-220 品牌：LITEON/光宝 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):80 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.01 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):300 输入电容Ciss(PF):3960 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：4.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):900 导通延迟时间Td(on)(ns):47 typ. 上升时间Tr(ns):185 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):250 typ. 下降时间Tf(ns):130 typ. 温度(℃): -55 ~175 描述:LZP80N06P,60V ,80A,0.01ΩA N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地...
