供应场效应三极管K80E08,K80E06
| 价 格： | 0.40 | |
| 型号/规格： | K80E08 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 普通型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 散装 |
供应75V,80A 0.009欧 MOS场效应管TK80E08K3
| 描 述 ： |
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220 |
| 标准包装 ： | 50 |
| 系列 ： | STripFET™ |
| FET 型 ： |
MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 11 毫欧 @ 40A, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： |
75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： |
80A |
| Id 时的 Vgs(th)（） ： |
4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： |
160nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： |
3700pF @ 25V |
| 功率 - ： | 300W |
| 安装类型 ： | 通孔 |
| 封装/外壳 ： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 ： | TO-220AB |
| 包装 ： | 管件 |
- 所属城市：广东 汕头
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供应场效应三极管SSF7509
信息内容：品牌/商标 LTO-DMS 美国徳微斯 型号/规格 SSF7509 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 80（V） 夹断电压 80（V） 低频跨导 100（μS） 极间电容 100（pF） 低频噪声系数 100（dB） 漏极电流 80（mA） 耗散功率 160（mW） 供应场效应管（MOS) SSF7509 特点:（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID； （2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。 （3）它是利...
供应场效应三极管HY1707
信息内容：品牌/商标 HY 型号/规格 HY1707P 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 40（V） 夹断电压 40（V） 跨导 10（μS） 极间电容 10（pF） 低频噪声系数 10（dB） 漏极电流 10（mA） 耗散功率 10（mW） 电动车电源控制MOS管HY1707P，封装TO-220-3，完全代替ST75NF75 罗素电子代理各种IC集成电路，主要有：电源管理IC,运算放大IC,多媒体功放IC,音频信号处理IC,触摸屏IC,液晶彩色显示监视器IC,LED驱...
