品牌/商标 | LTO-DMS 美国徳微斯 | 型号/规格 | SSF7509 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | L/功率放大 |
封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 80(V) | 夹断电压 | 80(V) |
低频跨导 | 100(μS) | 极间电容 | 100(pF) |
低频噪声系数 | 100(dB) | 漏极电流 | 80(mA) |
耗散功率 | 160(mW) |
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供应场效应管(MOS) SSF7509
特点:(1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS来控制ID;
(2)场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。
(3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;
(4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数;
(5)场效应管的抗辐射能力强;
(6)由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。
主要作用:1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。
2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3.场效应管可以用作可变电阻。
4.场效应管可以方便地用作恒流源。
5.场效应管可以用作电子开关。
应用特点:
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
场效应管栅极几乎不取电流;.场效应管在源极水与衬底连在一起时,源极和漏极可以互换使用,且特性变化不大;场效应管的噪声系数很小,在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。场效应管制造工艺简单,且具有耗电少,热稳定性好,工作电源电压范围宽等优点,因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。场效应管导通电阻小,只有几百毫欧姆,在现在的用电器件上,一般都用场效应管做开关来用,他的效率是比较高的。
品牌/商标 HY 型号/规格 HY1707P 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 40(V) 夹断电压 40(V) 跨导 10(μS) 极间电容 10(pF) 低频噪声系数 10(dB) 漏极电流 10(mA) 耗散功率 10(mW) 电动车电源控制MOS管HY1707P,封装TO-220-3,完全代替ST75NF75 罗素电子代理各种IC集成电路,主要有:电源管理IC,运算放大IC,多媒体功放IC,音频信号处理IC,触摸屏IC,液晶彩色显示监视器IC,LED驱...
IRF2807 概述 IR的HEXFET功率场效应管IRF2807采用先进的工艺技术制造,具有极低的导通阻抗。IRF2807这种特性,加上快速的转换速率,和以坚固耐用著称的HEXFET设计,使得IRF2807成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。 TO-220封装的IRF2807普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用,低热阻和低成本的TO-220封装,使IRF2807得到业内的普遍认可。D2Pak封装的IRF2807适用于贴片安装,比起现有的任何其他贴片封装,可说是功率,导通阻抗。TO-262是IRF2807的通孔安装版,适合较低端的应用。 IRF2807 参数 IRF2807 基本参数 VDSS 75 V ID @25℃ 82 A ...