供应 场效应管 LZP80N06P LZP80N06
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | LZP80N06P | |
| 品牌/商标： | LITEON/光宝 | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
产品型号:LZP80N06
Features/特点:
* Avalanche Rugged Technology/坚固的雪崩技术
* Rugged Gate Oxide Technology/坚固的门栅氧化层技术
* High di/dt Capability/高di/dt的能力
* Improved Gate Charge/改进的栅极电荷
* Wide Expanded Safe Operating Area/宽扩展安全工作区
Application/应用:
* UPS
* Car Inverter/车载逆变器
* E-bike/电动自行车
* SMPS
封装:TO-220
品牌：LITEON/光宝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):80
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.01 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):300
输入电容Ciss(PF):3960 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：4.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):900
导通延迟时间Td(on)(ns):47 typ.
上升时间Tr(ns):185 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):250 typ.
下降时间Tf(ns):130 typ.
温度(℃): -55 ~175
描述:LZP80N06P,60V ,80A,0.01ΩA N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
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供应 场效应管4953 NCE4953 FDS4953
信息内容：深圳市金城微零件有限公司现经销国内外多家名厂产品,经营各种三极管、场效应管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列,主要应用于开关电源(如:充电器、逆变转换DC -AC、转向灯、节能灯等)电脑板卡(超小内阻、小体积大体积各种各样场效应管、低压差稳压)、玩具遥控飞机、遥控船等.低压差稳压,为你延长电池使用时间,场效应为你解决压降温升等等问题. 我们将一如既往以“高品质、低价格、一流的技术和一流的服务”为宗旨,为广大厂商提供更优良的服务. 在新世纪,成功更依靠电子科技和信息.深圳市金城微零件有限公司以“创优势,求发展”的概念,诚意欢迎各位同行、有志之仕加入合作,本着互助互利的目标共创新优势. 双P场效应管： AO4801,AO4803,AO4805L,AO4807,AO4813,AO4815,FDS4935A,FDS4953,NCE4953,FDS6975 AO7801,FDG6304P,FDG6318P,FDG6320P,AO6801,AO6801L,AO8801L,AO8803L dzsc/19/4397/19439785.jpg
供应 600V 场效应管 FCP20N60 20N60
信息内容：产品型号:FCP20N60 600V N-Channel MOSFET 封装:TO-220 品牌：FAIRCHILD/仙童 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.19 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):208 输入电容Ciss(PF):2370 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：17 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):690 导通延迟时间Td(on)(ns):62 typ. 上升时间Tr(ns):140 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):230 typ. 下降时间Tf(ns):65 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:FCP20N60,TO-220,DIP/MOS,N场,600V,20A,0.19Ω N-沟道增强型场效应晶体管 SuperFET is, Fairchild’s proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology has been tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avala...
