供应 600V 场效应管 FCP20N60 20N60
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FCP20N60 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD（飞兆） | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
产品型号:FCP20N60 600V N-Channel MOSFET
封装:TO-220
品牌：FAIRCHILD/仙童
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):20
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.19 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):208
输入电容Ciss(PF):2370 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：17
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):690
导通延迟时间Td(on)(ns):62 typ.
上升时间Tr(ns):140 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):230 typ.
下降时间Tf(ns):65 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:FCP20N60,TO-220,DIP/MOS,N场,600V,20A,0.19Ω N-沟道增强型场效应晶体管
SuperFET is, Fairchild’s proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.
This advanced technology has been tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy.Consequently, SuperFET is very suitable for various AC/DC power conversion in switching mode operation for system miniaturization and higher efficiency.
特点：
* 650V @TJ = 150°C
* Typ. RDS(on) = 0.15Ω
* Ultra low gate charge/超低栅极电荷(typ. Qg = 75nC)
* Low effective output capacitance/低有效输出电容 (typ. Coss.eff = 165pF)
* 100% avalanche tested..... 100％雪崩测试
* RoHS Compliant....RoHS标准
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\.)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 AP02N60J 02N60J
信息内容：产品型号:AP02N60J N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 封装:TO-251 品牌：AP/富鼎 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):1.6 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):8 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):39 输入电容Ciss(PF):155 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：0.2 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):64 导通延迟时间Td(on)(ns):9.5 typ. 上升时间Tr(ns):12 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):21 typ. 下降时间Tf(ns):9 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:AP02N60J,600V,1.6A,8Ω N-沟道增强型场效应晶体管 The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for AC/DC converters. The through-hole version (AP02N60J) is available for low-profile applications. 特点： * Low Gate Charge 低栅极电荷 * 100% Avalanche Test 100％雪崩测试 * Simple Drive Requirement 简单的驱动器要求 深圳市金城微零件有限公司 ...
供应 场效应管 BSO052N03S 052N03S
信息内容：产品型号:BSO052N03S OptiMOS Power-Transistor 特点 * 快速开关MOSFET的开关电源 * 笔记本DC/ DC转换器的优化技术 * 符合到JEDEC1）为目标的应用 * N沟道 * 逻辑电平 * 的栅极电荷x R DS（ON）产品（FOM） * 非常低的导通电阻R DS（ON） * 卓越的热电阻 * 额定雪崩 * 无铅电镀，符合RoHS标准 封装:SOP-8 品牌：INFINEON 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):14 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0052 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2 功率PD(W):1.56 输入电容Ciss(PF):4160 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：63 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):380 导通延迟时间Td(on)(ns):9.7 typ. 上升时间Tr(ns):7.4 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):40 typ. 下降时间Tf(ns):6.2 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:BSO052N03S,30V,14A N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压Ｉ...
