供应 场效应管 BSO052N03S 052N03S
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSO052N03S | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | SOP-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 2500/盘 |
产品型号:BSO052N03S
OptiMOS Power-Transistor
特点
* 快速开关MOSFET的开关电源
* 笔记本DC/ DC转换器的优化技术
* 符合到JEDEC1）为目标的应用
* N沟道
* 逻辑电平
* 的栅极电荷x R DS（ON）产品（FOM）
* 非常低的导通电阻R DS（ON）
* 卓越的热电阻
* 额定雪崩
* 无铅电镀，符合RoHS标准
封装:SOP-8
品牌：INFINEON
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):14
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0052 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):1.56
输入电容Ciss(PF):4160 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：63
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):380
导通延迟时间Td(on)(ns):9.7 typ.
上升时间Tr(ns):7.4 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):40 typ.
下降时间Tf(ns):6.2 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:BSO052N03S,30V,14A N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\.)
- 所属城市：广东 深圳
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供应场效应管 AO4720,AO4456,AO4706
信息内容：深圳市金城微零件有限公司是一家代理经营半导体电子元件公司，是深圳电子商会常务理事单位。经过十几年的发展，公司已成为半导体应用联盟发起单位和华强北中国电子市场价格指数数据采集点之一。 产品型号:AO4720 AO4720一个单片集成肖特基二极管采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON）和低栅极电荷。该器件适合作为低侧FET的开关电源，负载开关和一般用途的使用。 封装:SOP-8 品牌：AO 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):10 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.011 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2 功率PD(W):1.7 输入电容Ciss(PF):1267 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：37 单脉冲雪崩能量EAR(mJ):66 导通延迟时间Td(on)(ns):5.2 typ. 上升时间Tr(ns):3.8 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):21.2 typ. 下降时间Tf(ns):4.4 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:AO4720,30V,10A,0.011Ω N-沟道增强型场效应晶体管 dzsc/19/4430/19443069.gif 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳...
供应 场效应管 AO4728L AO4728 4728L
信息内容：产品型号:AO4728L AO4728L一个单片集成肖特基二极管采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON）和低栅极电荷。该设备非常适合用于在CPU核心电源转换为一个低侧开关。 封装:SOP-8 品牌：AO 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0043 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.2 功率PD(W):3.1 输入电容Ciss(PF):3719 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：87 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):80 导通延迟时间Td(on)(ns):9.2 typ. 上升时间Tr(ns):10.7 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):40 typ. 下降时间Tf(ns):12.5 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:AO4728L,N场,30V,20A,0.0043Ω N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
