价 格: | 面议 | |
型号/规格: | AO4728L | |
品牌/商标: | AO | |
封装形式: | SOP-8 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 3000/盘 |
产品型号:AO4728L
AO4728L一个单片集成肖特基二极管采用先进沟道技术,提供优良的RDS(ON)和低栅极电荷。该设备非常适合用于在CPU核心电源转换为一个低侧开关。
封装:SOP-8
品牌:AO
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):20
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0043 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.2
功率PD(W):3.1
输入电容Ciss(PF):3719 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):87
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):80
导通延迟时间Td(on)(ns):9.2 typ.
上升时间Tr(ns):10.7 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):40 typ.
下降时间Tf(ns):12.5 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:AO4728L,N场,30V,20A,0.0043Ω N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E
经营:各种三极管、场效应管、可控硅、稳压IC、开关电源IC、肖特基、IGBT等
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\.)
Absolute Maximum Ratings Characteristics Symbol Rating Unit Drain current ID 18 A Drain power dissipation PD 1.9 W Drain-Source voltage VDSS 30 V Electrical Characteristics Characteristics Symbol Condition Value Unit Total gate charge (Typ.) Qg - 45 nC Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=4.5V 0.008 Ω Drain-Source on-resistance (Max) ...
产品型号:CMH20N50 应用: 开关稳压器 UPS(不间断电源) DC-DC转换器 封装:TO-247 品牌:CMOSFET 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.26 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):280 输入电容Ciss(PF):2500 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s):24 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):860 导通延迟时间Td(on)(ns):88 typ. 上升时间Tr(ns):270 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):105 typ. 下降时间Tf(ns):117 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:CMH20N50,500V,20A N-沟道增强型场效应晶体管 深圳市金城微零件有限公司 地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E 经营:各种三极管、场效应管、可控硅、稳压IC、开关电源IC、肖特基、IGBT等 (产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)